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    自碳納米管發現以來，低維納米材料由于其獨特形貌和結構，展現出與本體材料不同的物理和化學性質，在化工、陶瓷、建材、醫療、光電子學、通信技術等諸多領域有著廣泛的應用和經濟效益。在最新出版的今年第10期我國《中國物理B》（英文版）學術刊物上，優先發表了中國科學院物理研究所納米物理與器件實驗室的兩篇有關一維硼納米材料研究新進展的論文。

 

    探索結構和物性可控的新型低維納米結構材料，是納米科技的重要研究方向之一。作者在題為“硼納米錐的形成和光致特性”的學術論文中，首次實現了低維硼納米錐可控的生長，首次制備硼納米錐結構材料并對其發光性質進行了研究，取得了一些進展。他們采用氫氬混合氣還原硼化合物的方法，制備得到了大面積的新型一維硼納米結構，單晶硼納米錐。研究表明，單晶硼納米錐具有四方的硼結構，長度為幾個微米，尖端的直徑為50-100納米，底端直徑為300-500納米。在532納米波長的光激發下，硼納米錐獲得了中心波長為650納米的光致發光譜，這種良好的光致發光特性，將在光發射器件方面具有新的應用前景，同時硼納米錐也是一個潛在的場發射冷陰極材料。

 

    他們的另一篇論文“單晶硼碳納米帶的合成與表征”，是以B/B2O3/C/Fe粉末為原料，以Ar氣作為載氣、在1100oC溫度條件下，通過碳熱還原的方法制備了大面積的硼碳納米帶，并具有很好的結晶性，提出硼碳納米帶形成的一種生長機理。該材料將在納電子器件和光學器件方面具有潛在的應用價值。