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總劑量輻射下的SOI 晶體管中的陷阱電荷分布

資料類型：

PDF文件

關(guān)鍵詞：

總劑量輻射 soi 陷阱電荷分布電場分布

資料大小：

245K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

通過對載流子擴散機理的研究，由數(shù)學(xué)公式的推導(dǎo)，得到陷阱電荷分布隨電場變化的函數(shù)關(guān)系。將由medici模擬得到的3種偏置下SOI的NMOS管埋氧層中的電場分布的數(shù)據(jù)代入方程式，得到總劑量輻射下的SOI晶體管中的陷阱電荷的分布。得到的數(shù)據(jù)較好地解釋了實驗結(jié)果。

作者：

王茹，張正選，俞文杰，賀威，田浩，陳明

上傳時間：

2008-08-27 16:27:01

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