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SOI在高壓器件中的應(yīng)用

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關(guān)鍵詞：

SOI 高壓器擊穿電壓

資料大小：

108K

所屬學(xué)科：

分子表征

來(lái)源：

2004年第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡(jiǎn)介：

綜述了絕緣層上的硅（SOI）材料在高壓器件中的應(yīng)用，分析了SOI高壓器件的不同結(jié)構(gòu)，并對(duì)現(xiàn)在最常用的RESURFLDMOS高壓器件結(jié)構(gòu)，以及不同器件參數(shù)對(duì)擊穿電壓的影響進(jìn)行了分析和討論。

作者：

王石冶劉衛(wèi)麗張苗林成魯宋志棠

上傳時(shí)間：

2007-07-13 16:00:25

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