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新型硅基GaN 外延材料的熱應力模擬 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
GaN SOI 熱應力 MEMS |
| 資料大小： |
352K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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采用有限元方法，通過ANSYS軟件模擬了體硅襯底上和SOI襯底上生長的GaN外延膜從1100℃的生長溫度降到20℃的熱應力變化情況。模擬結果表明SOI襯底作為一種柔性襯底，能有效減少異質外延的晶格失配，但是單從熱失配的角度，由于引入了熱膨脹系數(CET)更小的埋層SiO2，SOI襯底會使得外延層熱應力略有增大。為了降低外延層中的熱應力，我們結合微機電系統(MEMS)的制造工藝，用深反應離子刻蝕(DRIE)的方法，借助于SOI材料自停止刻蝕的優勢，將襯底硅和埋氧去除，使得SOI的超薄頂層硅部分懸空，形成一種新型的SOI襯底。模擬結果表明，這種新型SOI襯底可以將GaN外延層中的熱應力降低20%左右。 |
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| 作者： |
王曦，孫佳胤，武愛民，陳靜，王曦
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| 上傳時間： |
2008-05-19 15:14:46 |
| 下載次數： |
60 |
| 消耗積分： |
2
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