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不同微觀形貌所引起的聚二氧乙撐噻吩的光電性能改變

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關鍵詞：

聚乙撐二氧噻吩樟腦磺酸三氯化鐵納米棒光電性能

資料大小：

321K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

通過無模板法并以功能摻雜酸樟腦磺酸作為摻雜劑，分別在過硫酸銨和三氯化鐵為氧化劑的情況下，制得了直徑為50～150nm的納米球形的聚二氧乙撐噻吩(PEDOT)和直徑為80～150nm的納米棒狀的PEDOT。由于三氯化鐵的氧化還原勢能遠低于過硫酸銨使得氧化的速率降低，使PEDOT的生長能夠更好的依照由單體和摻雜劑組成的柱狀膠束而進行所產生的。兩種不同微觀形貌的PEDOT表現出了明顯不同的光電性能。

作者：

李瑀，封偉，吳雋

上傳時間：

2008-09-11 15:25:26

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