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BST類鐵電薄膜的最低晶化溫度和自組裝生長研究

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鐵電薄膜 BST 外延生長 LMBE

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利用激光分子束外延技術（LMBE）在Si(111)、SrTiO3（100）單晶基片上在（10-5Pa）高真空環境中外延生長SrTiO3（STO）、BaTiO3（BTO）、Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）鐵電薄膜。通過反射高能電子衍射（RHEED）實時監測薄膜生長，并結合原子力顯微鏡（AFM）分析薄膜的生長模式。根據RHEED衍射強度振蕩曲線及衍射圖樣的變化確定動態和靜態最低晶化溫度，發現STO、BTO、BST三種鐵電薄膜可以分別在280℃、330℃、340℃的低溫下實現外延層狀生長。當保持BTO(110)/Si（111）層狀生長，逐漸降低沉積速率時,發現這種層狀模式中每層高度是由整數倍單胞堆積而成，并且隨著沉積速率從0.017nm/s降低到0.005nm/s時，每層高度由9降低到1個BTO單胞構成，這對由ABO3鈣鈦礦材料自組裝形成納米結構具有重要意義。

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2007-07-13 13:23:38

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