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CdZnTe晶體(111)面、(110)面和(100)面的蝕坑形貌觀察

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關鍵詞：

晶體生長蝕坑密度布里奇曼法晶體定向

資料大小：

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簡介：

利用CdZnTe晶體晶面夾角之間的關系采用激光正反射法對改進布里奇曼法生長的CdZnTe單晶進行定向，研磨出了CdZnTe單晶體的（111）、（100）面。采用自行研制的HHKA腐蝕液對三個面進行擇優腐蝕，得到了（111）、（100）和（110）面的腐蝕照片，并計算出了蝕坑密度（EPD）約為104~105/cm2數量級。結果表明生長晶體的質量較好。

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2007-07-06 13:35:45

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zhengsir2005 2009-03-20 13:43:28

very good

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