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負偏壓增強金剛石膜與襯底結合強度的理論研究 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
金剛石膜 硅襯底 結合力 |
| 資料大小： |
100K |
| 所屬學科： |
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| 來源： |
來源網絡 |
| 簡介： |
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由于金剛石與Si有較大的晶格失配度和表面能差，利用化學氣相沉積（CVD）制備金剛石膜時，金剛石在鏡面光滑的Si表面上成核率非常低。而負襯底偏壓能夠提高金剛石在鏡面光滑的Si表面上的成核率，表明金剛石核與Si表面的結合力也得到增強。利用負偏壓增強CVD系統制備金剛石膜時，氣體輝光放電產生的離子對Si表面轟擊，使得Si襯底表面產生了微缺陷（凹坑），增大了金剛石膜與Si襯底的結合面積。本工作主要從理論上研究離子轟擊對金剛石膜與Si襯底結合力的影響。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-11 14:23:33 |
| 下載次數： |
7018 |
| 消耗積分： |
2
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