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II-VI族化合物半導(dǎo)體中的晶體缺陷及其控制

資料類型：

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關(guān)鍵詞：

II-VI族化合物碲鋅鎘晶體生長退火改性晶體缺陷

資料大小：

197K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2004年第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡介：

圍繞作者所在課題組近年來的研究工作，綜述了II－VI族化合物半導(dǎo)體晶體生長過程中的各種結(jié)構(gòu)缺陷及其形成機(jī)理。從晶體生長過程和后續(xù)的熱處理過程兩個(gè)方面指出了晶體缺陷的控制原理和方法。

作者：

介萬奇李宇杰

上傳時(shí)間：

2007-07-18 13:43:32

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wonlyou 2012-07-31 15:11:05

不錯(cuò)，有幫助

lijingyan 2009-05-29 10:37:18

很好，謝謝。

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