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真空熱處理制備β-FeSi2光電薄膜的研究

資料類型：

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關鍵詞：

光電薄膜 β-FeSi2 真空熱處理磁控濺射

資料大小：

381K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

磁控濺射法沉積的Fe/Si多層膜和Fe單層膜經真空熱處理后制備了β-FeSi2薄膜。[Fe1nm/Si3.2nm]60多層膜在＜880℃溫度下真空熱處理2h后，樣品均呈現β(220)/(202)擇優取向，而Fe單層膜制備的樣品則易形成β-FeSi2與ε-FeSi相的混合物，且取向雜亂。在920℃真空熱處理后，兩種樣品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力顯微鏡分析表明，樣品表面粗糙度隨熱處理溫度升高而變大，最大表面均方根粗糙度約為16nm。盧瑟福背散射分析發現，Fe/Si多層膜樣品熱處理過程中元素再分布很小。根據光吸收譜測量，Fe/Si多層膜制備的β-FeSi2薄膜的禁帶寬度為0.88eV。

作者：

沈鴻烈，高超，黃海賓

上傳時間：

2008-09-08 14:36:28

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