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MOCVD制備定向生長(zhǎng)ZnO壓電薄膜

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ZnO薄膜 MOCVD 定向生長(zhǎng) 壓電雙晶片

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147K

所屬學(xué)科：

分子表征

來(lái)源：

2004年第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡(jiǎn)介：

采用大氣開(kāi)放式金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（A-MOCVD）的方法，在普通多晶黃銅基片上制備ZnO薄膜。薄膜的SEM、XRD結(jié)果表明ZnO沿C軸取向垂直生長(zhǎng)在基片上。綜合分析ZnO自身晶體生長(zhǎng)習(xí)性，提出了ZnO薄膜在普通多晶銅表面的生長(zhǎng)模型。并將ZnO薄膜制備成壓電雙晶片元件，在光學(xué)顯微鏡下能觀察到元件尖端產(chǎn)生了很大的位移量，結(jié)果表明高定向性ZnO薄膜具有優(yōu)異的壓電特性。該壓電器件使得傳統(tǒng)的小變形雙晶片元件的數(shù)學(xué)模型失效，有必要建立新型大變形雙晶片物理、數(shù)學(xué)模型。

作者：

林煌袁洪濤童強(qiáng) 張陽(yáng) 張躍

上傳時(shí)間：

2007-07-12 16:31:00

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