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多孔硅襯底在RFIC 無源器件中的應用

資料類型：

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關鍵詞：

rfic 多孔硅傳輸線移相器電感

資料大小：

283K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

介紹低阻硅基多孔硅作為低損耗襯底在射頻集成電路（RFIC）無源器件上的應用,分別討論了在RFIC中的傳輸線，移相器和電感等無源器件運用多孔硅襯底后性能和主要參數的改良變化，并從理論上分析變化的原因。多孔硅襯底大大降低了RFIC電路中傳輸線的損耗，使移相器的工作頻率和相移量都發生變化。運用多孔硅襯底，回旋電感的最高Q增加了63%（16.8～27.4），最高響應頻率增加了28%（15.2～19.4GHz）。結果表明多孔硅襯底在高頻情況下完全能滿足RFIC元件的要求。

作者：

張磊兢，郭方敏，葉宇誠，朱自強

上傳時間：

2008-08-26 15:19:10

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