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Ag(TCNQ)納米線的制備和場發(fā)射性能研究

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關鍵詞：

氣－液－固反應 Ag(TCNQ)納米線場發(fā)射

資料大?。?/td>

145K

所屬學科：

分子表征

來源：

2004年第五屆中國功能材料及其應用學術會議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡介：

采用氣－液－固反應方法在硅片上制備了取向金屬有機配合物Ag(TCNQ)納米線。樣品的XRD特征峰與Ag(TCNQ)相對應；SEM形貌顯示納米線幾乎垂直基片生長，直徑在50~300nm，長度在2~50&micro；m。初步對其場發(fā)射性能進行了研究，所得Ag(TCNQ)納米線的最低場發(fā)射開啟電壓約為1.5V&micro；m-1，最大發(fā)射電流密度約為0.03mAcm-2，此時對應的電場約為2.5V&micro；m-1。由測量所得I-V曲線得到的Fowler-Nordheim（F-N）曲線近似為一條直線，說明樣品具有場發(fā)射性能。重復實驗表明，Ag(TCNQ)納米線的場發(fā)射具有一定的穩(wěn)定性。結合納米線制備工藝，初步分析了場發(fā)射性能的影響因素。

作者：

葉春暖莫曉亮徐華華韓成赫曹冠英孫大林陳國榮

上傳時間：

2007-07-09 16:19:24

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