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復(fù)旦大學(xué)梁子騏教授課題組《ACS Energy Lett.》綜述:聚合物熱電材料的分子結(jié)構(gòu)設(shè)計與化學(xué)摻雜策略
2022-11-14  來源:高分子科技

  熱電(TE)能量轉(zhuǎn)換技術(shù)是一種基于澤貝克效應(yīng)和珀爾帖效應(yīng)實現(xiàn)熱能和電能之間直接轉(zhuǎn)換的清潔能源技術(shù);跓o機半導(dǎo)體的熱電材料自兩個世紀(jì)前澤貝克效應(yīng)被發(fā)現(xiàn)以來受到廣泛研究,取得了巨大的成就。在過去幾十年中,半導(dǎo)體π-共軛聚合物(π-CP)由于其電子和光學(xué)性質(zhì)的分子可調(diào)性以及機械柔性和低溫溶液加工性等獨特優(yōu)勢,在有機光伏、有機發(fā)光二極管和有機場效應(yīng)晶體管中越發(fā)受到關(guān)注。近年來,半導(dǎo)體聚合物對有機熱電領(lǐng)域做出了巨大貢獻,主要得益于其區(qū)別于無機物的無毒性、低熱導(dǎo)率和良好的機械彎曲性等優(yōu)勢。值得注意的是,與有機小分子相比,聚合物通常表現(xiàn)出更好的化學(xué)、熱、機械甚至輻射穩(wěn)定性,以及無與倫比的拉伸性和彎曲性,后者有助于與復(fù)雜熱源表面緊密粘合。因此,基于π-CP的熱電材料在可穿戴和便攜式電子設(shè)備中顯示出巨大的應(yīng)用前景。


  近日,復(fù)旦大學(xué)材料系唐俊暉(博士研究生)、白雅馨(碩士研究生)及梁子騏教授受邀在ACS Energy Lett. 20227, 4299?4324上發(fā)表了題為Strategic Insights into Semiconducting Polymer Thermoelectrics by Leveraging Molecular Structures and Chemical Doping的綜述論文,就化學(xué)摻雜和分子結(jié)構(gòu)設(shè)計策略協(xié)同增強聚合物材料的電導(dǎo)率(σ)與澤貝克系數(shù)(S)提供見解,以增強π-CP的熱電功率因子。首先,將化學(xué)摻雜機制分解為電荷轉(zhuǎn)移極化子和自由載流子的相繼產(chǎn)生兩個步驟,通過分子摻雜劑不同的能級和內(nèi)在機制對其進行了比較討論以闡明p-型和n-型摻雜劑的選擇策略及用于增強化學(xué)摻雜程度的各類摻雜方法。其次,提出了包括π-主鏈調(diào)控和側(cè)鏈工程在內(nèi)的聚合物結(jié)構(gòu)的設(shè)計原則,旨在提高摻雜效率與載流子濃度(n),增強載流子遷移率(μ)并提供優(yōu)異的澤貝克系數(shù),或各方之間的微妙平衡。再次,總結(jié)了改善薄膜形貌以解耦合電導(dǎo)率與澤貝克系數(shù)的其他策略,包括采用聚合物鏈取向及構(gòu)建聚合物共混薄膜。最后,討論了聚合物熱電材料未來發(fā)展中存在的主要障礙,并展望了解決這些障礙的可行解決方案(圖1)。 


圖1. 聚合物熱電材料研究涉及的主要方法和策略


1.揭示化學(xué)摻雜對載流子輸運的影響


1.1摻雜劑的選擇與摻雜機理


  π-共軛聚合物由于其本征狀態(tài)下極低的載流子濃度和電導(dǎo)率,因此需要化學(xué)摻雜使其與分子摻雜劑之間產(chǎn)生足夠的電荷轉(zhuǎn)移,從而具有良好的電學(xué)性能以用作有機熱電材料;瘜W(xué)摻雜機制通?煞譃閮深悺姾赊D(zhuǎn)移和酸堿摻雜,前者通過電子/空穴的轉(zhuǎn)移實現(xiàn),后者則通過氫負離子/質(zhì)子的轉(zhuǎn)移實現(xiàn)。對于大多數(shù)分子摻雜劑,化學(xué)摻雜可分為兩個連續(xù)過程,即電荷轉(zhuǎn)移和自由載流子的釋放。根據(jù)電荷轉(zhuǎn)移程度(δ摻雜機制的不同,第一步的產(chǎn)物被分類為整數(shù)電荷轉(zhuǎn)移物種(ICT)和電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物(CTC),δICT= 10< δCTC<1,發(fā)生ICT過程的先決條件是摻雜劑和聚合物之間的能級合適,如2a所示。對于p-型摻雜,電子從π-CP的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級到摻雜劑的最低未占據(jù)分子軌道能級(LUMO),因此摻雜劑的LUMO能級應(yīng)比聚合物的HOMO能級更深。相反,對于n-型摻雜,摻雜劑的HOMO能級應(yīng)比π-CPLUMO能級淺。與ICT過程不同,CTC的形成發(fā)生在π-CP和摻雜劑的前沿軌道雜化并產(chǎn)生一組新的分子軌道時。CTC的先決條件是聚合物和摻雜劑之間的強軌道耦合,而非特定的能級位置。如2b所示,上述電荷轉(zhuǎn)移過程發(fā)生之后,(雙)極化子產(chǎn)生并分別與摻雜劑陰/陽離子間形成庫侖作用力,被摻雜聚合物上的電荷開始沿著π-主鏈離域,自由載流子從陰-陽離子對中被釋放出來,從而極大改善了電學(xué)性能。因此,與主要決定聚合物載流子濃度的電荷轉(zhuǎn)移過程不同,這一摻雜步驟主要影響載流子遷移率——釋放的自由載流子越多,μ就越高。 


圖2. (a)分別形成ICT和CTC時π-共軛聚合物與摻雜劑之間的能級位置示意圖;(b)聚合物P3HT的化學(xué)摻雜過程示意圖。


1.2摻雜方法


  最常用的兩類化學(xué)摻雜方法包括混合摻雜和順序摻雜。其中,混合摻雜由于摻雜劑添加量的精細控制,其實驗可重復(fù)性相當(dāng)高,并且可以通過精確調(diào)節(jié)摻雜水平以獲得最佳熱電性能。此外,混合摻雜方法在以相對低的成本獲得均勻摻雜的聚合物薄膜和大面積厚膜方面具有良好的前景。然而,混合摻雜存在兩個主要缺點:首先,產(chǎn)生的不溶性聚合物與摻雜劑的聚集體可能會阻礙高質(zhì)量薄膜的獲得;其次,添加的摻雜劑將極大地干擾聚合物鏈的堆積,特別是在高摻雜濃度下會導(dǎo)致相對于未摻雜薄膜嚴(yán)重的相分離和糟糕的微觀結(jié)構(gòu)。而順序摻雜方法包括溶液順序摻雜和蒸汽摻雜,這兩種方法都在聚合物成膜之后進行,因此有利于獲得高質(zhì)量的微觀形貌和更優(yōu)的電導(dǎo)率。此外,近年來提出的混合摻雜、級聯(lián)摻雜、催化劑輔助摻雜等新方法有助于進一步提高摻雜效率,而離子交換摻雜則在提升摻雜態(tài)薄膜的空氣穩(wěn)定性方面提供了新的思路。


2.關(guān)聯(lián)聚合物分子結(jié)構(gòu)與電學(xué)特性


2.1聚合物主鏈調(diào)控


  如3上半部分所示,大多數(shù)給體–受體(D–A)結(jié)構(gòu)的p-型聚合物位于左上位置,D–π型聚合物位于右下位置,而A–π聚合物則位于兩者之間。D–π結(jié)構(gòu)聚合物中無受體單元有助于其與摻雜劑間電荷轉(zhuǎn)移程度更高,因此σ更高;D–A型聚合物中的A單元促進了π-骨架的能量無序度,從而展現(xiàn)出較高的S。此外,大多數(shù)性能突出p-聚合物屬于D–π結(jié)構(gòu)。然而,D–π結(jié)構(gòu)聚合物通常表現(xiàn)出大于100 S cm–1高電導(dǎo)率但在高載流子濃度下,S通常低于50 μV K–1。鑒于可穿戴設(shè)備中溫度梯度通常較小,聚合物熱電材料的應(yīng)用需要高S,D–π聚合物似乎難以滿足這一需求。因此,D–A結(jié)構(gòu)可能是實現(xiàn)卓越熱電性能的更好平臺。p-型聚合物的情況不同,在3下半部分沒有觀察到明顯的數(shù)據(jù)點區(qū)域聚集現(xiàn)象,主要原因是目前n-摻雜效率仍然很低,文獻報道的最高σ100 S cm?1附近,大多數(shù)n-型聚合物的S大于?100 μV K?1。因此,為了趕上p-型聚合物的高電導(dǎo)率,以構(gòu)建全聚合物基柔性熱電器件,A?πA?A型結(jié)構(gòu)可能是更好的選擇,并通過精細地設(shè)計具有高共平面度的聚合物主鏈來實現(xiàn)高效的n-摻雜 


圖3. 文獻報道中具有最佳熱電性能的p-型和n-型聚合物的總結(jié)。


2.2側(cè)鏈工程


  在π-共軛聚合物和摻雜劑之間發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移之后,帶電摻雜劑通常通過嵌入聚合物的側(cè)鏈區(qū)域而存在。因此,摻雜劑和側(cè)鏈之間的相互作用對于確定摻雜效率和相應(yīng)的電學(xué)性能至關(guān)重要。由于摻雜過程可分為電荷轉(zhuǎn)移產(chǎn)物的產(chǎn)生和自由載流子的釋放兩個步驟,因此存在兩種主要的提高摻雜效率的策略——A) 通過改善π-CP和摻雜劑之間的相容性來提高電荷轉(zhuǎn)移程度,以及(B)通過保持摻雜劑遠離聚合物主鏈來提高聚合物主鏈的π-離域程度。其中,前者的主要方法包括引入極性側(cè)鏈或在支化型烷基側(cè)鏈中設(shè)計更遠離主鏈的支化點;后者則可以設(shè)計雙親性側(cè)鏈,并使其中的極性部分位于側(cè)鏈尾部。


3.增強熱電性能的補充策略


3.1聚合物鏈取向


  通常,聚合物薄膜是通過在襯底上旋涂或滴涂聚合物溶液,然后對濕膜進行退火而形成的。相比之下,各種聚合物取向方法通常遵循相同的原理,即在特定的加工條件下使聚合物主鏈的有序度增加。因此,取向后的聚合物薄膜是各向異性的,不同于未取向薄膜在平面內(nèi)方向上的各向同性。鑒于沿著聚合物π-主鏈的電荷傳輸速率比沿著層狀和π-π堆疊方向的更高,因此沿聚合物取向方向的載流子遷移率將顯著增強,從而極大提升熱電性能。文獻中已報道的幾種實現(xiàn)聚合物鏈取向的方法,包括機械拉伸、小分子外延、機械摩擦和刮涂等。有意思的是,在一些高結(jié)晶度聚合物中,取向方向的澤貝克系數(shù)也獲得了顯著提高。


3.2聚合物共混薄膜


  通過選擇特定的兩種聚合物材料構(gòu)筑聚合物共混薄膜也有助于提升熱電性能。其中一類選擇原則是遵循態(tài)密度工程的要求,選擇兩種HOMO能級具有較大差異的聚合物,在特定共混比例下,費米能級與傳輸能級將分別處于兩種材料中,從而使其差值最大化,而與其成正比的澤貝克系數(shù)也將獲得顯著提高。另一類選擇原則是兩種聚合物的共混可以增強各晶區(qū)之間的電學(xué)相連性并降低最優(yōu)形貌的化學(xué)勢。


  原文鏈接:https://doi.org/10.1021/acsenergylett.2c02119

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