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  金屬氧化物（MO）半導體薄膜晶體管憑借其出色的性能成為先進電子設備的優(yōu)選材料。如重要的非晶態(tài)的MO半導體氧化銦鎵鋅（IGZO）已實現(xiàn)商業(yè)化。但IGZO的載流子遷移率低于In₂O₃機制的遷移率，且溶液處理的IGZO需要相對較高的處理溫度（通常大于300 ℃）。這樣的加工條件對于常見的塑料基材是不適合的。因此，選擇合適的方法來降低溶液加工溫度來制備非晶態(tài)MO至關重要。

  基于Tobin J Marks和Antonio Facchetti課題組提出的通過電絕緣聚合物化學“摻雜”MO機制來制造無定型金屬氧化物薄膜的新策略，王智教授通過聚合物分子結構設計、分子結構選擇與復配，制備了N含量系列變化的聚合物體系（圖1），系統(tǒng)研究了不同N含量的聚合物對In₂O₃的摻雜作用，深入討論了聚合物N、C含量對相應薄膜晶體管的作用機制。相關研究結果表明，聚合物的摻雜能力和共混物的TFT遷移率不僅與體系中N含量和聚合物含量有關（圖2），還與聚合物的熱穩(wěn)定性和碳污染有關。

圖1. 不同聚合物結構式及溶液法制備器件示意圖

圖2. 不同體系摻雜In₂O₃性能表征

  此外，進一步將相關聚合物摻雜體系應用于柔性器件的制備中（圖3），發(fā)現(xiàn)聚合物含量為0.5%摻雜的In₂O₃薄膜在以2 mm半徑彎曲后都表現(xiàn)出無裂紋的薄膜狀態(tài)，這表明所有聚合物都具有足夠的韌性，可以在保持遷移率的同時保持氧化物薄膜優(yōu)異的機械性能。這項研究工作為進一步理解聚合物摻雜In₂O₃提供了有益的支撐。

圖3. 基于不同聚合物摻雜In₂O₃的柔性器件及其性能

  以上成果發(fā)表在Advanced Functional Materials上。論文的第一作者為中北大學材料學院王智教授，共同第一作者為山東大學材料學院莊昕明博士后，并受到了東南大學王丙昊研究員的幫助，通訊作者為王智教授，共同通訊作者為電子科技大學黃偉研究員與美國西北大學三院院士Tobin J Marks和Antonio Facchetti教授。

  原文鏈接：https://doi.org/10.1002/adfm.202100451