| 簡介： |
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高阻CdZnTe晶體是X射線及γ射線探測最優秀的材料。制備CdZnTe探測器最關鍵的技術之一就是在CdZnTe表面制備出歐姆接觸薄膜電極。關于在CdZnTe晶體表面制備接觸電極用導電薄膜，大都是采用蒸發鍍膜技術，膜層與CdZnTe晶體結合不很牢固。本論文主要開展了在CdZnTe晶體上歐姆接觸電極的選材和制備工藝的研究。理論分析了金屬與CdZnTe半導體的接觸關系，根據影響因素選擇Cu/Ag合金作為電極薄膜材料。利用射頻磁控濺射法成功地在CdZnTe晶體上制備出Cu/Ag膜。研究發現Cu/Ag合金膜的電阻率隨濺射功率的增大而增大、襯底溫度的升高而降低。從理論上對這一規律進行了解釋。 |
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