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PCVD 法制備硅系納米復(fù)合薄膜材料

資料類型：

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關(guān)鍵詞：

PCVD制備技術(shù) 硅系材料納米復(fù)合薄膜

資料大小：

171K

所屬學(xué)科：

高分子化學(xué)

來源：

來源網(wǎng)絡(luò)

簡介：

納米復(fù)合薄膜材料由于具有傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料兩者的優(yōu)點(diǎn)，成為重要的前沿研究領(lǐng)域之一。其中半導(dǎo)體納米復(fù)合材料，尤其是硅系納米復(fù)合薄膜，由于具有獨(dú)特的光電性能，加之與集成電路相兼容的制備技術(shù)，有著廣泛的應(yīng)用前景。近年來關(guān)于納米復(fù)合薄膜的研究不斷深入，但仍有許多問題沒有完全解決。本文圍繞硅系納米復(fù)合薄膜的材料特點(diǎn)，說明了等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)技術(shù)的工作原理和裝置結(jié)構(gòu)，以及該技術(shù)在硅系納米復(fù)合薄膜制備中的獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)。并以氮化硅薄膜為重點(diǎn)，介紹納米復(fù)合薄膜材料的PCVD制備技術(shù)。文章最后對硅系納米復(fù)合薄膜的在光電技術(shù)等各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用前景做了一些展望。

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2007-07-06 15:49:29

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lhl10082024 2009-01-10 0:17:38

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lhl10082024 2009-01-10 0:17:24

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