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半導體非線性光學材料的第一性原理研究

資料類型：

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關鍵詞：

非線性光學材料非臨界位相匹配密度泛函理論

資料大小：

338K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

通過第一性原理研究II-IV-V2族CKP半導體中的CdSiAs2，計算了其雙折射性，量化了雙折射性同應力的線性關系，它的負雙折射性使之能夠通過應力、溫度調節以及同CdGeAs2混合來設計非臨界位相匹配材料。計算顯示，少量的參雜Ge（＜5%），能夠實現非臨界位相匹配I類二次諧波產生（SHG）在CO2激光譜線范圍可調諧，它可能具有很高的有效χ(2)。

作者：

姜曉庶, Walter R. L. Lambrecht

上傳時間：

2008-09-09 16:38:04

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hahaxinxin 2009-03-03 15:17:46

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