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CeO2 摻雜氧化鋅壓敏閥片壓敏電位梯度與顯微組織的研究

資料類型：

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關鍵詞：

氧化鋅壓敏閥片 CeO2 壓敏電位梯度顯微組織

資料大小：

266K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用添加微量CeO2的方法，提高氧化鋅壓敏閥片的電位梯度，使之具有優良的綜合性能。同時研究了微量CeO2添加劑對氧化鋅壓敏電阻片的壓敏電位梯度的影響，并通過SEM測試手段對其微觀組織結構進行了分析研究，從理論上探討了CeO2影響氧化鋅壓敏閥片壓敏電位梯度與組織的機理。研究結果表明，在0～0.06%(摩爾分數)成分范圍內，隨著CeO2含量的增加，氧化鋅壓敏閥片的壓敏電位梯度明顯提高；當CeO2含量超過0.06%（摩爾分數）時，隨其含量的增加，氧化鋅壓敏閥片的壓敏電位梯度又呈降低趨勢。其原因是CeO2加入到氧化鋅壓敏閥片中，以原相形式獨立存在的CeO2相釘扎在晶界，阻礙晶界運動，抑制了ZnO晶粒的生長；另一方面，CeO2添加劑在陶瓷燒結過程中使ZnO晶體的自由電子濃度增大，填隙鋅離子Zni的總濃度下降，因而填隙鋅離子的傳質能力下降，抑制了ZnO晶粒的生長，因而晶粒尺寸隨CeO2的添加而下降，壓敏電位梯度顯著提高。

作者：

嚴群，馮慶芬，黃慶，蘇華，謝顯蛟，涂銘旌

上傳時間：

2008-09-05 13:09:18

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