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Ta2O5 薄膜的結構和電學性能研究

資料類型：

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關鍵詞：

光誘導熱絲CVD Ta2O5 薄膜電學性能

資料大小：

326K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用紫外光誘導熱絲CVD沉積技術制備Ta2O5薄膜和Al/Ta2O5/SiMOS電容。利用XRD，AFM測試分析方法研究了紫外光源功率對Ta2O5薄膜結構的影響；通過C-V和I-V測試對Ta2O5薄膜的介電常數，擊穿場強和漏電流等電學性能進行了研究，結果表明：紫外光源的功率越大，Ta2O5薄膜的結晶性越好，介電常數越大，最大值為29，但紫外光功率對擊穿場強和漏電流沒有明顯改善。

作者：

魏愛香，張幸福

上傳時間：

2008-09-02 15:21:57

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