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旋轉Y切測定La3Ga5SiO14晶體的壓電性能及分析

資料類型：

PDF文件

關鍵詞：

LGS晶體旋轉Y切壓電常數

資料大小：

160K

所屬學科：

分子表征

來源：

2004年第五屆中國功能材料及其應用學術會議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡介：

通過選擇合適的晶體切型利用諧振法只測量（yxl）-30o切La3Ga5SiO14晶片的相關參數就得到了La3Ga5SiO14晶體較為準確的壓電參數。其中La3Ga5SiO14晶體的d11和d14分別為5.5910-12C/N和-5.0110-12C/N。（yxl）-30o切La3Ga5SiO14晶片具有較大的機電耦合系數k26/≈13%和較大的機械品質因數Qm≈10000。

作者：

趙明磊王增梅袁多榮王矜奉王春雷王淵旭王曉穎

上傳時間：

2007-07-12 15:43:24

下載次數：

615

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