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Ga 摻雜Zn4Sb3 體系熱電性能的研究

資料類型：

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關鍵詞：

zn4sb3 熱導率熱電性能

資料大小：

301K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

首先在5～310K溫度范圍內(nèi)，研究了Ga替代對化合物(Zn1-xGax)4Sb3的低溫熱電性能的影響。研究發(fā)現(xiàn)相對于無摻雜的Zn4Sb3，(Zn1-xGax)4Sb3(x≠0)的低溫熱導率明顯減小，而且隨著Ga替代量的增加而不斷減小。另外，輕摻雜條件下（x≤0.15），摻雜后的電阻率和熱電勢都減小。而隨后對β-Zn4Sb3和β-(Zn0.85Ga0.15)4Sb3的高溫（300～670K）熱電性能進行了測量，結(jié)果充分表明合適量的Ga替代Zn（比如x＝0.15），可以優(yōu)化β-Zn4Sb3的高溫熱電性能。

作者：

劉峰，秦曉英

上傳時間：

2008-08-14 15:16:34

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