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Sn 膜硫化合成SnS 薄膜及其性能研究 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
sns 薄膜 兩步法 光電性能 |
| 資料大小： |
310K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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用熱蒸發法技術在ITO透明導電玻璃上沉積一層Sn膜，將其裝入石墨盒里后，放在真空爐里面硫化處理，硫化溫度在150～350℃之間。通過對在不同溫度下硫化的薄膜進行結構、成分和表面形貌分析，表明退火溫度在230～250℃之間時所制得的薄膜為正交結構的SnS多晶薄膜，其均勻性和對基片的附著力都較好，具有(111)方向優先生長，薄膜粒徑在200～800nm。通過測量薄膜樣品的反射和透射光譜，計算得到其直接禁帶寬度Eg＝1.38eV，在基本吸收邊附近的吸收系數大于104/cm，用霍爾測量系統測得其導電類型為p型，適合應用于太陽能電池的吸收層材料。 |
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| 作者： |
彭少朋，程樹英
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| 上傳時間： |
2008-08-12 15:56:53 |
| 下載次數： |
44 |
| 消耗積分： |
2
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