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PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
氮化硼薄膜 退火 傅立葉變換紅外光譜 應(yīng)力 |
| 資料大小： |
270K |
| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡(jiǎn)介： |
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利用射頻濺射系統(tǒng)在p型Si(100)襯底上制備氮化硼薄膜。對(duì)其進(jìn)行600～1000℃的常壓下N2保護(hù)退火。通過傅立葉變換紅外譜(FTIR)分析，發(fā)現(xiàn)hBN-cBN-hBN的可逆相變。通過不同溫度退火后立方相橫光學(xué)振動(dòng)模式峰位的移動(dòng)，計(jì)算了氮化硼薄膜中殘余應(yīng)力的變化。發(fā)現(xiàn)沉積后退火很好地解決了高立方相氮化硼薄膜應(yīng)力釋放的問題，可提高立方氮化硼薄膜在硅襯底上的粘附性。并且探索性地討論在退火過程中c-BN成核、生長(zhǎng)與薄膜中應(yīng)力變化的關(guān)系。 |
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| 作者： |
張曉康，鄧金祥，王瑤，陳光華，郝偉，侯碧輝, 賀德衍
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| 上傳時(shí)間： |
2008-05-20 15:03:04 |
| 下載次數(shù)： |
59 |
| 消耗積分： |
2
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