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熱絲輔助MW ECR CVD法高速沉積優(yōu)質(zhì)氫化非晶硅薄膜

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a-Si:H薄膜熱絲光敏性沉積速率

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簡介：

我們用熱絲輔助MWECRCVD系統(tǒng)，在熱絲溫度分別為0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃時制備出a-Si:H薄膜。通過膜厚測定，紅外光譜分析光、暗電導測量等手段，分析了其沉積速率、光敏性及光學帶隙的變化規(guī)律。結果表明沉積速率和薄膜質(zhì)量均得到明顯的提高，沉積速率超過3nm/s，光暗電導之比提高到6105。找到最佳輔助熱絲溫度為1450℃。通過對帶隙值的分析，發(fā)現(xiàn)當帶隙值在1.6~1.7范圍內(nèi)時，薄膜幾乎都具有105以上的光暗電導之比。

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2007-07-06 16:09:19

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