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高介電HfO2薄膜的制備及其結(jié)構(gòu)和界面特性研究

資料類型：

PDF文件

關(guān)鍵詞：

等離子體氧化氧化鉿高介電薄膜制備界面

資料大小：

109K

所屬學(xué)科：

結(jié)構(gòu)表征

來源：

來源網(wǎng)絡(luò)

簡介：

報(bào)道了用低溫等離子體直接氧化濺射金屬鉿膜的方法制備高介電HfO2薄膜。研究了退火溫度及氣氛對薄膜的結(jié)構(gòu)和界面特性的影響。傅立葉變化紅外測試結(jié)果表明：界面的主要成分為SiO2，氧氣氣氛下的高溫退火將導(dǎo)致界面SiO2的不可控制的生長。高純的N2退火導(dǎo)致了界面層的分解，引起Si-O鍵的振動峰位的輕微移動。

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2007-07-12 15:44:43

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更多評論

gutian 2010-03-03 15:53:04

試了幾次才下來，文章還是不錯(cuò)的

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