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聚酰胺/石墨納米導(dǎo)電復(fù)合材料及其制備方法
inventor/creator:張明,李大軍,嚴(yán)長浩,王文,吳德峰,陸宏良
Paten number/application number:ZL200610037630.1
application/authorized announcemen date:2008-5-28
brief introduction:

    聚酰胺/石墨納米導(dǎo)電復(fù)合材料及其制備方法,涉及一種聚酰胺/石墨納 米導(dǎo)電復(fù)合材料的工藝,由主基體聚酰胺、輔基體和石墨組成,各組分的質(zhì) 量份為:主基體聚酰胺100份、輔基體5~60份、石墨2~40份。本發(fā)明具 有較低的滲濾閾值(3-4%)和較高的電導(dǎo)率。由于導(dǎo)電填料填充量較低, 本發(fā)明基本保持了尼龍的優(yōu)異的力學(xué)性能和加工性能,同時(shí),又具有較好的 抗靜電性,因此具有廣闊的工業(yè)化前景,有望在防靜電材料、電磁屏蔽材料、 微波吸收等領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。