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以甲基乙烯基硅橡膠（MVSR）為基體,硅烷偶聯(lián)劑KH550與聚倍半硅氧烷（POSS）結合改性的納米BN（POSS-g-nBN）為導熱填料,經(jīng)混煉-熱壓制備POSS-g-nBN/MVSR導熱復合材料。結果表明,POSS-g-nBN/MVSR導熱復合材料的導熱系數(shù)（λ）、介電常數(shù)（ε）和介電損耗正切值（tanδ）均隨nBN用量增加而增大。相同nBN用量下,表面功能化改性有助于進一步提高nBN/MVSR導熱復合材料的λ,降低ε和tanδ。當POSS-g-nBN用量為30vol%時,POSS-g-nBN/MVSR導熱復合材料的λ為0.92 W(m·K)^-1,約為純MVSR的(λ=0.18W(m·K)^-1)5倍,也高于相同nBN用量的nBN/MVSR導熱復合材料的λ(0.77W(m·K)^-1）。相比未改性nBN,POSS-g-nBN更易在MVSR基體內(nèi)形成導熱通路且和MVSR基體具有相對更低的界面熱障。當POSS-g-nBN用量為30 vol%時,POSS-g-nBN/MVSR導熱復合材料的ε和tanδ分別為3.39和0.0049,略低于相同nBN用量的nBN/MVSR導熱復合材料的ε (3.43)和tanδ (0.0057)。