近日，課題組在微電子器件研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，其研究成果在國(guó)際材料領(lǐng)域頂級(jí)期刊Advanced Materials上刊發(fā)，論文鏈接
http://doi.org/10.1002/adma.201701599
Advanced Materials是Wiley出版社旗下材料科學(xué)領(lǐng)域的國(guó)際頂尖期刊，在國(guó)際材料領(lǐng)域享譽(yù)盛名，最新影響因子19.79。該期刊以通訊文章接收發(fā)表材料領(lǐng)域相關(guān)的頂尖科研成果。這是我校首次在該期刊上以第一通訊單位發(fā)表高水平原創(chuàng)性科研成果，
作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管家族中的重要一員，以金屬氧化物為基的薄膜晶體管（Thin-Film Transistors，TFTs）成為近十年電子器件的研究熱點(diǎn)并且在液晶顯示器商業(yè)化應(yīng)用上取得了巨大的成功。隨著產(chǎn)業(yè)化發(fā)展對(duì)低成本技術(shù)的日益需求，采用化學(xué)溶液法（如凝膠旋涂、噴霧熱解、噴墨打印）制備金屬氧化物TFT已成為該領(lǐng)域的主流發(fā)展趨勢(shì)。具有高介電常數(shù)的薄膜電子材料和P型氧化物半導(dǎo)體一直是該研究領(lǐng)域的重心，同時(shí)也是低功耗顯示器、CMOS集成電路必不可少的組成部分。
我課題組利用價(jià)格低廉的溶膠旋涂技術(shù)和“燃燒合成（combustion）”工藝在低溫下（150℃）制備了P型Cu摻雜NiO半導(dǎo)體薄膜。Cu的摻入實(shí)現(xiàn)了NiO價(jià)帶結(jié)構(gòu)的雜化，有效提高空穴遷移率。基于ZrO2高k介電層的Cu:NiO TFT在2 V低壓下穩(wěn)定操作并展現(xiàn)良好的電學(xué)性能。該工作也首次實(shí)現(xiàn)了利用P型氧化物TFT驅(qū)動(dòng)LED，對(duì)于低功耗、便攜、柔性電子器件的研發(fā)具有重要的意義。最近幾年，課題組采用低成本溶膠凝膠旋涂技術(shù)在金屬氧化物TFT制備領(lǐng)域取得系列重要進(jìn)展（ACS Appl. Mater. Interfaces, 2014, 6, 17364；Adv. Funct. Mater., 2015, 25, 2564；Adv. Funct. Mater., 2015, 25, 7180；Adv. Electron. Mater., 2016, 2, 1600140；Adv. Electron. Mater., 2017, 3, 1600513）。