中科院化學所在有機場效應晶體管研究方面取得系列進展
2011-01-04 來源：中國聚合物網
相對于p-型有機半導體而言，n-型有機半導體還存在遷移率低和穩定性差的缺點，化學所有機固體院重點實驗室相關人員結合他們自己的研究結果(J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 8614; Adv. Mater., 2009, 21, 1631; Nano Lett., 2009, 5, 1752)，總結了最近5年n-型半導體在性能和分子設計上的發展，分析了目前阻礙n-型場效應晶體管研究發展的因素，重點從晶體管的結構與組成，分子設計和薄膜生長條件等方面，提出了解決方法以期突破n-型場效應晶體管目前研究的瓶頸。論文以Progress Report的形式發表在Adv. Mater., 2010, 22, 1331-1345上。
功能性有機場效應晶體管將擴展OFET應用領域，化學所有機固體院重點實驗室研究人員在這方面做了深入的研究，制備了高性能的有機薄膜，單晶的光晶體管器件以及多比特存儲的有機場效應晶體管存儲器件（Appl. Phys. Lett., 2009, 94, 143303; Adv. Funct. Mater., 2010, 20, 1019-1024; Adv. Mater., 2009, 21, 1954-1959)。最近，他們應《先進材料》雜志邀請撰寫了綜述性論文“Functional Organic Field-Effect Transistors”，并以內封面（圖４）的形式發表（Adv. Mater. 2010, 22, 4427-4447）。
圖４. 《先進材料》內封面
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（責任編輯：佳）
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