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能夠在一個一般性表面結構中識別所有單個原子（包括缺陷）的成像方法，對于材料分析將是非常有用的工具。Ondrej Krivanek及其同事已開發出這樣一種方法。他們在一個為低電壓操作進行了優化的經過像差校正的掃描透射電子顯微鏡中采用了“環形暗場”（ADF）成像。該方法能以原子分辨率成像，還能識別原子的化學類型。這個系統被用來檢查單層的氮化硼，顯示了三種類型的取代，涉及碳和氧雜質原子。對觀測數據進行仔細分析，使研究人員能夠構建原子結構的一個詳圖，并識別出四種不同類型的原子。本期封面所示為對氮化硼表面所作的離散傅里葉變換模擬，所觀察到的取代雜質疊加在實驗圖像上。原子的代號為B紅色、C黃色、N綠色和O藍色。