美開發出熱化學納米光刻術 最小“刻寫”寬度僅為12納米
2007-09-13 來源：中國聚合物網
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美國喬治亞工學院研究人員稱，他們已成功開發出一種納米光刻術。這種新型納米光刻術不僅速度極快，而且能夠用于包括空氣和液體等多種工作環境。 據研究人員介紹，新的納米光刻術被稱為熱化學納米光刻術（TCNL），它在電子業、納米應用流體學和醫學等多領域均具有潛在應用前景，能幫助工業界在速度和規模上商業化生產包括納米電路在內的廣范圍的納米圖案結構。 研究人員表示，新的工藝實際上相當簡單。他們將原子力顯微鏡的硅材料探針加熱，并讓它在薄高分子膜上“行走”，從而獲得電路圖。探針尖的熱量導致高分子膜表面發生化學反應，改變了薄膜的化學性質，從原來的“厭”水物質轉變成現在的“親”水物質，因此能與其他分子牢固地粘貼在一起。 新的熱化學納米光刻術速度相當快，每秒鐘“刻寫”長度超過數毫米。現在廣泛采用的蘸筆納米光刻術（DPN）“刻寫”速度僅為每秒鐘0.0001毫米（即0.1微米）。利用新工藝，研究人員能夠在不同的環境中“刻寫”最小寬度僅為12納米的圖案。 除“刻寫”尺寸小、速度快和可在多環境中工作外，熱化學納米光刻術的另一個特點是它不像常規納米光刻術那樣，需要其他的化學物質或強電場。此外，采用IBM公司開發的原子力顯微鏡探針組，熱化學納米光刻術還具有大規模生產的潛能，可讓用戶同時用上千個針尖獨立地“刻寫”圖案。 喬治亞工學院物理院助理教授愛麗莎·瑞爾朵說：“熱化學納米光刻術屬于高速和多功能技術，它幫助我們更進一步邁向商業化所需的光刻速度。由于我們只是加熱以改變其化學結構，而不需要將任何材料從原子力顯微鏡探針轉移到高分子膜表面，因此這種方法要比常規方法快得多。” |
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