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芝加哥大學(xué)Stuart Rowan教授、Shrayesh Patel教授:基于有機(jī)二硫鍵的顆粒用于電極表面的可控刺激響應(yīng)清潔
2024-09-15  來源:高分子科技

  電極污染會(huì)顯著影響基于電化學(xué)的傳感器和儲(chǔ)能設(shè)備的功能。當(dāng)不可逆的惰性層形成時(shí),其會(huì)阻礙氧化還原活性物質(zhì)與電極表面的有效相互作用。采用具有氧化活性的小分子或聚合物(氧化還原聚合物,redoxmers)的電化學(xué)系統(tǒng)尤為容易遇到電極污染的問題。傳統(tǒng)的防污或電極清潔策略包括保護(hù)層和使用碳基材料、金屬納米顆粒涂層、防污聚合物等對(duì)電極表面改性。然而,這種防污層的應(yīng)用可能會(huì)引入額外的阻抗,減少所需的氧化還原活性分子或氧化還原聚合物的電化學(xué)可達(dá)性。一種可替代的新思路是制備具有刺激響應(yīng)功能的氧化還原聚合物,使其在污染發(fā)生后能夠有效的原位清潔,無需使用改性的電極表面。



  基于上述需求,芝加哥大學(xué) Stuart Rowan 教授和 Shrayesh Patel教授近期在RSC Applied Polymers期刊上發(fā)表了最新研究性論文“Organo-Disulfide-Based Particles Enable Controlled Stimulus-Triggered Cleaning of Electrode Surfaces”該研究提出了一種全新的有效電極清潔策略,采用具有氧化還原活性的聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯)顆粒與2-氨基-1,3,4-噻二唑二硫化物(PGMA-ATDDS)交聯(lián)。這些具有氧化還原活性的聚合物(RAPs)顆粒在受到電化學(xué)還原或紫外光激發(fā)時(shí),可以通過斷裂二硫鍵實(shí)現(xiàn)去交聯(lián)。將該刺激應(yīng)用于使用PGMA-ATDDS顆粒污染的ITO電極,并使用定制的流動(dòng)池進(jìn)行清潔,結(jié)果顯示顆粒清除率顯著提高至80%,相較于無刺激的對(duì)照組,清潔效率提高了六倍以上。電化學(xué)刺激后的熒光共聚焦顯微成像顯示,在靠近電極表面的顆粒中發(fā)生了選擇性的二硫鍵還原。推測(cè)是這種選擇性的去交聯(lián)以及電解液在顆粒/電極界面處的溶脹作用,促進(jìn)了在電解液流動(dòng)條件下顆粒的去除。此外,通過測(cè)試聚乙烯基芐基二茂鐵(PVBC-Fc)的懸浮液充電性能,驗(yàn)證了電極的清潔效果。電化學(xué)還原和紫外光清潔后的ITO電極的可達(dá)電荷量與初始的ITO電極相當(dāng)。總的來說,本研究提出了一種新的電極清潔策略,利用帶有刺激響應(yīng)化學(xué)特性的RAPs,實(shí)現(xiàn)在氧化還原液流電池里的實(shí)時(shí)電極清潔。


1.顆粒的合成與表征


1. (a) 在電解質(zhì)液體流動(dòng)條件下,刺激觸發(fā)清潔顆粒污染電極的示意圖。(b) 左圖:具有刺激響應(yīng)性二硫鍵(ATDDS)和永久性交聯(lián)劑(HMDA)的PGMA-ATDDS顆粒的示意圖。右圖:PGMA-ATDDS顆粒的化學(xué)結(jié)構(gòu)及其在電化學(xué)或紫外光刺激下的可逆反應(yīng)。中間插圖為PGMA-ATDDS顆粒的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。(c) 在碳紙電極上滴鑄PGMA-ATDDS顆粒的循環(huán)伏安圖(CV),展示了二硫鍵的電化學(xué)還原和氧化


  本文基于團(tuán)隊(duì)前期工作設(shè)計(jì)的具有氧化還原活性的聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯)顆粒與2-氨基-1,3,4-噻二唑二硫化物(PGMA-ATDDS)交聯(lián)的單分散顆粒(ACS Macro Lett.2021, 10, 1637–1642),圖1c的循環(huán)伏安法(CV)結(jié)果顯示,還原峰電位為-0.69 V,氧化峰電位為-0.48 V(相對(duì)于Ag/Ag+)。


2. 刺激響應(yīng)顆粒在電極表面的可控清潔


2. (a) 人工污染的ITO電極通過將PGMA-ATDDS顆粒從乙醇分散液中滴鑄并干燥制備。(b) 用于刺激觸發(fā)(紫外光或電化學(xué))電極清潔的定制液流電池。(c) 人工污染的ITO電極表面在無刺激、紫外光刺激和電化學(xué)刺激清潔方法下的清潔前后光學(xué)顯微鏡圖像。(d) 每種情況下(無刺激、紫外光刺激和電化學(xué)刺激)的相應(yīng)顆粒去除百分比。


  為了制備可控的污染表面,將100 μL超聲分散的顆粒溶液(5 mg/mL乙醇)滴鑄在氧化銦錫(ITO)鍍膜玻璃基底上(圖2a),使顆粒覆蓋在17 mm x 15 mm區(qū)域上,顆粒負(fù)載量約為0.2 mg/cm2。使用光學(xué)顯微鏡成像并通過ImageJ分析計(jì)算初始顆粒數(shù)量。通過使用定制的流動(dòng)池(圖2b),實(shí)現(xiàn)了對(duì)人工污染基底的可控刺激響應(yīng)清潔。流動(dòng)池使電解液在兩塊平行板之間流動(dòng),顆粒附著的ITO基底暴露于電化學(xué)或紫外刺激下,并與流動(dòng)電解液接觸。電極清潔后,收集基底進(jìn)行成像,比較清潔前后的顆粒數(shù)量。在電化學(xué)清潔中,施加的2 V電位(相對(duì)于Ag/Ag+約為-1.7 V)超過PGMA-ATDDS的還原電位(圖1c),確保充分?jǐn)嗔讯蜴I。在紫外清潔中,使用光源(≈1 W/cm2)照射基底。清潔前,測(cè)試了不同流速(83040 mL/min)對(duì)電極清潔的影響。結(jié)果表明,僅靠流體流動(dòng)不足以顯著清潔電極表面,尤其是流速在30 mL/min及以下時(shí)(圖2c和圖2d)。


  實(shí)驗(yàn)表明,電化學(xué)刺激清潔的顆粒去除率隨時(shí)間增加,1分鐘時(shí)約為23%30分鐘時(shí)達(dá)到76%,去除效果比僅靠流體流動(dòng)提高約6.5倍。紫外光刺激有類似效果,30分鐘時(shí)顆粒去除率約為80%。短時(shí)間內(nèi)紫外清潔效果更好,1分鐘時(shí)去除率為42%。對(duì)照實(shí)驗(yàn)顯示,不含二硫鍵的PGMA-HDMA顆粒去除率很低(約9%)。這些結(jié)果表明,PGMA-ATDDS顆粒中二硫鍵的斷裂對(duì)于有效清潔至關(guān)重要。


3. 表面結(jié)合顆粒的刺激響應(yīng)研究


3. (a) 熒光標(biāo)記反應(yīng),顯示噻二唑二硫化物的還原以及與BrMePyr的后續(xù)反應(yīng)。(b) DMSO溶液中,含有100 mM TBAPF6的溶液循環(huán)伏安圖(CV),測(cè)試對(duì)象為5 mM BrMePyr1 mM EATDDS5 mM BrMePyr + 1 mM EATDDS的混合物。BrMePyr混合物中氧化峰的缺失突顯了BrMePyr與硫醇鹽陰離子的反應(yīng)(如圖(a)所述)。(c) 電化學(xué)還原后標(biāo)記了BrMePyrPGMA-ATDDS顆粒的共聚焦熒光顯微鏡圖像(藍(lán)色代表噻二唑熒光,綠色代表MePyr熒光)。圖像包括在ITO涂層載玻片上顆粒的自下而上視圖,以及使用不同熒光濾光片獲得的基板上顆粒的垂直投影側(cè)視圖。(d) 在電解液流動(dòng)條件下,刺激觸發(fā)的顆粒去除的擬議清潔機(jī)制。


  為了深入研究電化學(xué)清潔機(jī)制,采用1-(溴甲基)芘(BrMePyr)作為熒光標(biāo)記,探測(cè)PGMA-ATDDS在電極/顆粒界面的電化學(xué)還原。初步實(shí)驗(yàn)在含有過量BrMePyr的二甲基亞砜(DMSO)溶液中,對(duì)乙胺基噻二唑二硫化物(EATDDS)進(jìn)行循環(huán)伏安法(CV)實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了硫醇鹽與BrMePyr的反應(yīng)。在0-1.50 V(相對(duì)于Ag/Ag+)的掃描中,EATDDS二聚體還原為硫醇鹽單體,還原峰電位為-1.05 V;在有BrMePyr的溶液中,沒有出現(xiàn)硫醇鹽再氧化峰,驗(yàn)證了硫醇鹽與BrMePyr反應(yīng)(圖3b)。


  將PGMA-ATDDS顆粒分散液滴鑄在ITO基底上作為工作電極,浸泡在含1 mM BrMePyrDMSO溶液中,施加-1.0 V(相對(duì)于Ag/Ag+)的恒定還原電位5分鐘。隨后用DMSO和丙酮清洗基底,去除未反應(yīng)的BrMePyr,并表征獲得共聚焦熒光圖像。藍(lán)色濾光片圖像顯示PGMA-ATDDS的噻二唑熒光均勻分布,綠色濾光片圖像顯示芘的熒光集中在電極表面附近,表明只有靠近電極的二硫化物被還原(圖3c)。圖3d總結(jié)了電極清潔的機(jī)制:施加刺激后,PGMA-ATDDS顆粒在電極表面附近部分去交聯(lián)并膨脹,削弱了顆粒與電極的粘附力。電解液的剪切應(yīng)力最終將這些部分還原的顆粒從電極表面移除。計(jì)算表明,在30 mL/min流速下,9.5×10-11 N的剪切力足以去除顆粒。


4. 通過刺激誘導(dǎo)電極清潔驗(yàn)證電極性能再生


4. 研究污染和電極清潔對(duì)再生ITO電極可達(dá)性的影響。(a) PGMA-ATDDSPVBC-Fc的循環(huán)伏安圖(CVs),顯示在氧化還原活性區(qū)域沒有重疊。(b) 流動(dòng)電極再生實(shí)驗(yàn)過程步驟1:定制靜態(tài)三電極池的示意圖和在潔凈ITO上的PVBC-Fc可達(dá)性的線性掃描伏安(LSV)測(cè)試;步驟2:定制靜態(tài)三電極池的示意圖和在PGMA-ATDDS涂覆的ITO電極上的PVBC-Fc可達(dá)性的LSV測(cè)試;步驟3:連接到電解液儲(chǔ)罐和泵的定制流動(dòng)電池的示意圖,用于電化學(xué)刺激清潔程序;步驟4:定制靜態(tài)三電極池的示意圖和在清潔后ITO電極上的PVBC-Fc可達(dá)性的LSV測(cè)試。(c) LSV曲線中積分得出的PVBC-Fc的電荷密度(以C/cm2表示),此數(shù)據(jù)為電化學(xué)刺激下電極再生實(shí)驗(yàn)的平均值。


  為了驗(yàn)證電極清潔是否能有效恢復(fù)再生電極的性能,本文使用含二茂鐵氧化還原聚合物(PVBC-Fc)在ITO鍍膜電極上的電化學(xué)可達(dá)性進(jìn)行了測(cè)試。測(cè)試在三種條件下進(jìn)行:原始ITO電極、被PMGA-ATDDS污染的ITO電極,以及經(jīng)過刺激響應(yīng)清潔后的再生ITO電極。如圖4a所示,PVBC-Fc的電化學(xué)窗口與PGMA-ATDDS并不重合,允許在00.6 V(相對(duì)于Ag/Ag+)范圍內(nèi)進(jìn)行線性掃描伏安法(LSV)測(cè)試,對(duì)二茂鐵部分進(jìn)行氧化充電,而不會(huì)激活PGMA-ATDDS的氧化或還原反應(yīng)。圖4c展示了多次實(shí)驗(yàn)中LSV曲線的積分電荷密度(以C/cm2表示),結(jié)果顯示電化學(xué)和紫外光清潔方法均能有效再生電極性能(圖S11)。這些結(jié)果表明,PGMA-ATDDS污染的ITO電極在刺激響應(yīng)清潔后能夠穩(wěn)定恢復(fù)其性能。


  原文鏈接:https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2024/lp/d4lp00250d

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