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清華大學劉靜/陳森團隊《AM》Editor''s Choice:首個液態(tài)金屬記憶存儲器問世-以神經(jīng)元極化/去極化方式讀寫和擦除信息
2023-12-05  來源:高分子科技

  近年來,學術界在軟體機器人、類腦智能、柔性電子和植入式醫(yī)療等方面取得長足進展,但在實現(xiàn)全柔性、可于溶液環(huán)境中工作的智能技術上仍然面臨重大挑戰(zhàn),其中的關鍵一環(huán)在于缺失可以組裝集成到柔性體系內的信息讀寫與擦除單元。在各種潛在途徑中,電阻隨機存取存儲器 (Resistive random-access memoryRRAM)由于結構簡單、操作迅速、多級數(shù)據(jù)存儲能力強等原因,被認為是可拉伸柔性存儲器的理想選擇。RRAM主要由電極、功能層和襯底材料組成,當前實現(xiàn)此類柔性器件的通行做法仍是將剛性的功能單元沉積在柔性基板材料上,這會造成剛性功能層與軟襯底之間的彈性模量不匹配,從而導致動態(tài)變形過程中器件工作不穩(wěn)定包括出現(xiàn)剝離和開裂情形,從而引發(fā)存儲故障,這就限制了器件的應用。為從根本上解決上述問題,需要尋找全新的數(shù)據(jù)讀寫和擦除原理,以構建出全柔性、可變形、工作高效的記憶存儲器。



  由劉靜教授帶領的清華大學與中國科學院理化技術研究所聯(lián)合小組在多年探索實踐中,受生物神經(jīng)元通過極化和去極化方式實現(xiàn)各種大腦功能的啟發(fā),引入了溶液中液態(tài)金屬在電化學作用下會出現(xiàn)的可逆性氧化與還原效應,開創(chuàng)性地提出了基于液態(tài)金屬液滴氧化/去氧化機制實現(xiàn)超大范圍電阻改變與恢復的隨機存儲器原理,首次實現(xiàn)了可在溶液環(huán)境下工作的數(shù)據(jù)存儲與擦除方法(圖1),相應研究近日“Liquid Metal Memory”(液態(tài)金屬記憶存儲器)為題發(fā)表在《Advanced Materials》,并被期刊選為Editor’s Choice。文章共同第一作者為清華大學醫(yī)學院生物醫(yī)學工程系博士生袁銳治和碩士生曹英杰,論文共同通訊作者為清華大學醫(yī)學院教授、中國科學院理化技術研究所研究員劉靜和清華大學醫(yī)學院水木學者博士后陳森(現(xiàn)為南京航空航天大學國際前沿科學研究院副教授)。


  眾所周知,生物的記憶往往是通過神經(jīng)元及其相互之間的連接完成的,而生物體70%左右的成分是水。從仿生學的角度來看,生物體內的水相工作環(huán)境是其區(qū)別于非生命體的基本特征之一,將信息存儲到溶液環(huán)境中是大自然啟示給人類的特殊高級的方式,劉靜小組曾為此提出過基于液體集成實現(xiàn)未來尖端機器人的一般原則。鎵基液態(tài)金屬(Gallium-based liquid metalGLM)由于在室溫下具有良好的流動性和出色的電學性質,在溶液環(huán)境中會體現(xiàn)出許多獨特的物理化學行為,這為構筑仿生物乃至人腦的信息存儲與讀取方式提供了天然的物質基礎。在此項研究中,作者們通過溶液中電觸發(fā)下鎵基液態(tài)金屬氧化和還原過程中電導率變化規(guī)律的揭示,證實了可實現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫和擦除的全柔性隨機存取存儲器(FlexRAM),相應突破改變了對傳統(tǒng)存儲器的常規(guī)認識和理念,可望為未來柔性智能機器人記憶單元的構筑、腦機接口系統(tǒng)中生物與芯片間信息讀寫和擦除、可穿戴可植入電子器件應用乃至發(fā)展新一代仿生系統(tǒng)奠定了關鍵的理論基礎和技術路徑。 


1. 基于氧化還原機制的液態(tài)金屬全柔性記憶存儲器


  從自然界進化的觀點看,生物大腦是經(jīng)過數(shù)十億年不斷演化提升的產物,借助神經(jīng)元細胞的極化和去極化來實現(xiàn)高效且低能耗的思考和信息記憶存儲。與此極化和去極化方式異常相似的是,液態(tài)金屬液滴同樣可在溶液環(huán)境下實現(xiàn)氧化和去氧化(又稱還原)機制,整個過程只需調控電流的大小和極性方向。頗為獨特的是,正如神經(jīng)元極化和去極化前后會表現(xiàn)出明顯的行為差異一樣,液態(tài)金屬液滴的氧化和還原態(tài)的差異尤為顯著,這對于實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的信息存儲與讀寫帶來極大便利。研究揭示,由于致密氧化層的存在,GLM液滴氧化態(tài)的整體導電性顯著低于還原態(tài)的GLM,二者差距高達11個數(shù)量級且可根據(jù)需要加以靈活調控,為此作者們GLM的氧化狀態(tài)定義為高阻態(tài)(High-Resistance State, HRS),而將GLM的還原狀態(tài)定義為低阻態(tài)(Low-Resistance State, LRS)(2)由此,基于這兩種狀態(tài)之間的可逆轉換就可實現(xiàn)01二元信息進行編碼,繼而構筑和集成出可讀寫、可擦除存儲器。在應用過程中GLM的可控、可逆氧化與還原至關重要。實驗表明,利用低壓電場可以對GLM進行受控氧化,并且通過改變電壓的極性,氧化后的GLM易于恢復到初始態(tài),兩種狀態(tài)之間的可逆轉變十分快捷、能耗極低,特別是,兩者電阻之間差別迥異且相當穩(wěn)定,這就確保了狀態(tài)識別的高可靠性和準確度,對于研發(fā)實用化柔性存儲器提供了重要保障。



2. 液態(tài)金屬記憶存儲單元的工作機制


為進一步認識柔性存儲器件單元的電學特性,作者們設計了一系列原理性實驗予以表征,并探究了柔性存儲器件的最佳工作電壓及最適pH,結果表明其在6V的工作電壓下以及pH7的中性環(huán)境中表現(xiàn)出最佳性能。研究也提升,器件中使用的硫酸鈉水溶液存在泄露的可能,這種無機鹽溶液會對電子電路系統(tǒng)造成一定腐蝕或短路,從而影響器件性能及穩(wěn)定性。為此,研究小組將硫酸鈉水溶液換成由硫酸鈉配置的10% PVA水凝膠。這樣在避免鹽溶液泄露影響器件的同時,也使得器件得以具備較好的拉伸、彎曲等柔性性能。試驗中,研究人員還驚喜地發(fā)現(xiàn),PVA凝膠會進一步增強柔性存儲器件的容性,使得高低阻態(tài)之間的比值顯著增加,由此增強了器件的抗干擾能力,提升了后續(xù)編碼處理的穩(wěn)定性。(3 a-i)
為全面表征全柔性存儲單元的電學性能,研究小組測試了柔性存儲器件在氧化過程中的頻率響應特性,繪制了電化學阻抗譜。根據(jù)奈奎斯特圖以及液態(tài)金屬氧化的原理,通過搭建等效電路的方式來評估柔性存儲器件內部的電化學系統(tǒng)及其性質。借助等效電路模型的分析,可更深入地了解柔性存儲器件內部電化學系統(tǒng)的運行機制,為進一步優(yōu)化器件性能提供指導。(3 jkl) 


3. 不同參數(shù)對液態(tài)金屬存儲單元電阻響應的影響


  進一步地,研究小組系統(tǒng)考察了可能會對柔性存儲器件的HRSLRS以及二者比值產生影響的因素,如:配置PVA凝膠的硫酸鈉濃度,存儲器直徑,PVA體積占比等。通過一系列實驗,確定了實現(xiàn)最佳存儲器性能的設計和制備參數(shù),還探究了環(huán)境溫度對器件工作性能的影響,結果表明所設計的柔性存儲器在0°C60°C范圍,可以保證工作的穩(wěn)定性和可靠性。同時,對所使用的PVA水凝膠和GLM低溫性能的測試表明,二者均-20°C左右發(fā)生凍結相變。考慮到體積較小的液滴擁有更低的相變溫度,對應地這種存儲單元在集成系統(tǒng)中的尺度也會更小,這就意味著它們能夠承受更低溫度,由此極大地擴展了應用范圍(圖4)。 


4. 影響液態(tài)金屬存儲單元性能的因素


  為充分發(fā)揮PVA水凝膠和鎵基液態(tài)金屬固有的柔性和低模量作用,研究小組將機械性能優(yōu)異的可拉伸聚合物如Ecoflex,選為外部封裝材料。Ecoflex制作的模具可以向任何方向彎曲,并恢復到原來形狀而不變形。結合3D打印機,作者們將Ecoflex打印到具有特定功能的預先設計好的模具中。基于所獲得模具,將PVA水凝膠和GLM分別注入到目標腔體中,由此制作出完全柔性的存儲器件。基于對全柔性存儲器件機械性能的系統(tǒng)測試,發(fā)現(xiàn)其在可拉伸性、可彎曲性、可扭轉性方面均有十分出色的表現(xiàn),且抗拉伸疲勞特性極強,這對未來發(fā)展柔性智能系統(tǒng)十分有用。值得指出的是,這種全柔性的存儲設備也表現(xiàn)出了優(yōu)秀的可集成性。為說明這一點,研究測試了不同粒徑的液態(tài)金屬液滴在氧化和還原狀態(tài)下的電阻變化,結果表明,隨著液態(tài)金屬液滴尺寸的減小,對存儲性能影響更大的HRS/LRS比趨于增大,其基本機制在于,液滴尺寸減小時,由氧化或還原引起的電阻變化變得更容易檢測,這是因為生成的氧化物很容易覆蓋液滴的整個表面,從而導致電阻顯著降低,引發(fā)更高的HRS/LRS比率。這種可集成性使得液態(tài)金屬全柔性存儲器在工程領域中具有廣闊的應用前景(圖5)。 


5. 液態(tài)金屬存儲單元的可變形和集成性能測試


  為說明柔性存儲器的實際應用情況,研究小組設計了一套由軟件和硬件組成的工作系統(tǒng),演示了存儲數(shù)據(jù)的讀寫過程。系統(tǒng)主要包括寫入模塊(綠色背景)讀取模塊(橙色背景)和顯示模塊(黃色背景)。研究者將八個全柔性存儲單元排列成一個1x8陣列,實現(xiàn)了8位存儲,相當于1個字節(jié)的數(shù)據(jù)信息。選取恰好為1個字節(jié)的ASCII碼表作為測試數(shù)據(jù),結合自行設計的軟硬件系統(tǒng),將其成功寫入了全柔性的存儲陣列,并完成了對存儲信息的讀取,以及在LED屏幕上顯示讀取到的信息,完整地實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的寫入、讀取與顯示等一系列操作,證明了柔性內存單元功能的完整性與可靠性。對于存儲器件來說,響應速度,數(shù)據(jù)維持時間,以及可循環(huán)次數(shù)等是至關重要的性能參數(shù),本研究對單個存儲單元進行測試的結果表明,所實現(xiàn)的存儲器系統(tǒng)表現(xiàn)出良好的存儲速度(≥33 Hz) ,卓越的數(shù)據(jù)保持時間 (≥43200)和穩(wěn)定的長期使用性能(≥3500次循環(huán)),優(yōu)于大多數(shù)報道的新型全柔性存儲器設備。此外,與其它存儲器裝置相比,本文所提出的全柔性存儲器的制造工藝得以大大簡化,降低了數(shù)據(jù)寫入和讀取的難度(無需如傳統(tǒng)相變存儲器中大的溫度或壓力變化)。這項研究為制造高度集成和可靠的全柔性存儲設備開辟了富有前景的方向,也為全液態(tài)存儲器、神經(jīng)形態(tài)智能設備等提供了諸多可能(圖6)。 


6. 液態(tài)金屬存儲系統(tǒng)及其信息讀寫和顯示性能


  綜上所述,本文提出并實現(xiàn)了全新原理的液態(tài)金屬記憶存儲器。類似于生物神經(jīng)元的極化與去極化行為,新型存儲器在低電壓作用下可實現(xiàn)氧化及還原可逆過程,正是氧化態(tài)和還原態(tài)下表現(xiàn)出的顯著電阻差異促成了高穩(wěn)定可靠的信息讀寫和擦除。結合理論分析、數(shù)值模擬和參數(shù)化實驗,可以在明晰溶液濃度和pH值、工作電壓、器件直徑、水凝膠比例和溫度等對存儲性能影響規(guī)律的前提下,優(yōu)化出最佳的器件存儲性能。對該存儲器機械特性的全面測試表明,即使在拉伸到100%、彎曲到180度和扭曲到360度的情況下,液態(tài)金屬存儲器也具有非凡的耐用性。較有價值的是,隨著存儲單元尺寸的減小,實現(xiàn)的存儲性能進一步提高,展示出了出色的高密度集成能力和實際應用前景。最后,基于全柔性存儲設備,本文組裝出一個完整的數(shù)據(jù)存儲、讀取和顯示系統(tǒng),所實現(xiàn)系統(tǒng)具有良好的存儲速度(33Hz),優(yōu)越的數(shù)據(jù)保存時間(43200)和穩(wěn)定的長期使用性能(3500)在操作層面,新的存儲器制造工藝得以顯著簡化,且降低了數(shù)據(jù)讀寫的難度。本研究為制造高度集成和可靠的全柔性存儲器件開辟了全新途徑,為更多全液態(tài)信息存儲、神經(jīng)形態(tài)智能器件等的研發(fā)奠定了基礎


  以上研究部分得到了國家自然科學基金5189083952301193、中國博士后科學基金2022M720072和清華大學水木學者項目的支持,謹以致謝。


  原文鏈接:https://doi.org/10.1002/adma.202309182

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(責任編輯:xu)
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