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  阻變存儲器(RRAM)是構筑下一代信息技術的核心部件之一，其通常采用具有兩種穩定狀態(分別表示為“0”和“1”)的物理器件(存儲單元)來實現數據存儲功能。開發基于新結構、新原理和新材料的新型存儲器，對信息技術的發展至關重要。聚合物阻變存儲器是一種新興的信息技術，由兩個電極和活性功能層的三明治結構組成，具有結構簡單、元件尺寸小、易于三維堆砌、低功耗等優點，備受到學界和產業界的廣泛關注。當前聚合物阻變存儲研究思路主要集中于阻變存儲材料的理性設計、可控制備及器件性能評價。在阻變存儲器實際工作時，構建具有低轉變（寫入）電壓的聚合物阻變存儲器對實現超低功耗阻變存儲器具有實際意義。所以，精確調控聚合物阻變存儲器的寫入電壓非常關鍵。

  近期，南京工業大學先進材料研究院黃維院士、劉舉慶教授課題組提出了一種基于界面工程調控聚合物阻變存儲器轉變電壓的新策略。通過在褶皺還原氧化石墨烯（w-rGO）電極表面修飾銀納米顆粒（Ag NPs），利用銀納米顆粒的修飾數量實現電極表面粗糙度的連續調控，進而成功實現了聚合物（絕緣聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作為介質層）阻變存儲器寫入電壓的精準控制。優化器件具有超低的寫入電壓、高開關電流比和理想的長保持時間。其中，寫入電壓遠低于目前已經報道的以PMMA作為活性層的聚合物阻變存儲器。該研究為從界面納米結構工程調控阻變存儲器寫入電壓提供了新途徑，助推了低功耗阻變存儲器的研究發展。

  相關工作以“Control of Resistive Switching Voltage by Nanoparticle-Decorated Wrinkle Interface”為題，發表在Advanced Electronic Materials (DOI: 10.1002/aelm.201800503)上。

  論文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.201800503