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微米級硫化物半導體的紅外發射率研究

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關鍵詞：

硫化物半導體紅外發射率晶格畸變晶格振動

資料大小：

327K

所屬學科：

通用高分子材料

來源：

來源網絡

簡介：

為了制備出在8～14&micro；m紅外波段具有較低紅外發射率的粉體，以硫化鎘（CdS）、硫化鋅（ZnS）為原料，采用了氣氛固相燒結法制備了微米級的CdZnS固溶體粉體。采用XRD、BET（ASAT2010）比表面儀表征，研究了粉體的結構、粒度等特征。通過IR-1紅外發射率測量儀器測試了粉體在8～14&micro；m波段的紅外發射率。著重討論了粉體的晶格畸變和8～14&micro；m波段紅外發射率之間的關系，并對此給出了一定的解釋。

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2007-07-17 16:47:45

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相關評論 共有3人發表評論

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zszhong 2009-07-13 16:26:15

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zszhong 2009-07-13 16:26:08

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zszhong 2009-07-13 16:25:58

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