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快中子輻照CZ-Si的FTIR分析

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關鍵詞：

快中子輻照輻照缺陷 VO FTIR

資料大小：

277K

所屬學科：

分子表征

來源：

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簡介：

應用FTIR技術研究了不同劑量（11017~1.171019n/cm2）快中子輻照直拉硅（CZ-Si）的輻照缺陷和間隙氧在不同溫度熱處理時的行為。發現隨輻照劑量的增加未退火的樣品的間隙氧含量迅速下降，并且間隙氧的下降明顯分為三個階段。FTIR譜表明快中子輻照后主要的輻照缺陷為VO(829cm-1)復合體。在低溫條件下熱處理300℃829cm-1(VO)開始消失并出現了825cm-1(V2O2)、833cm-1（V3O2）、和840cm-1（V2O）和919cm-1（I2O2）四個紅外吸收峰，退火溫度升高到500℃后只剩下了825cm-1和919cm-1兩個缺陷-雜質復合體的紅外吸收峰。高溫1100℃0.5h輻照引入的缺陷-雜質復合體很快的被消除。延長退火時間輻照樣品和未輻照樣品的間隙氧沉淀速度有很大的不同。

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2007-07-06 13:04:52

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