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室溫鐵磁性GaN:Cr薄膜的性質研究 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
氮化鎵 磁性半導體 鐵磁性轉變溫度 |
| 資料大小： |
137K |
| 所屬學科： |
性能表征 |
| 來源： |
來源網絡 |
| 簡介： |
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采用高能離子注入的方式，在GaN襯底中摻雜引入Cr離子制備了磁性半導體。借助于X射線衍射儀(XRD)進行了注入前后結構的對比分析，沒有發現新的衍射峰，并運用高分辨率X射線衍射儀(HR-XRD)分析了Mn離子注入后襯底(0002)峰的微小變化。根據原子力顯微鏡的結果，發現注入后的樣品表面起伏比較大，發生明顯的變化。通過使用超導量子干涉儀SQUID進行變溫分析，在所分析的10～300K范圍內，磁化強度變化幅度較小，樣品在室溫條件下仍然保持鐵磁性。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-13 13:54:39 |
| 下載次數： |
577 |
| 消耗積分： |
2
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