| 具有隔離結構的RGO/UHMWPE電磁屏蔽材料 |
| 關鍵詞： |
石墨烯 超高分子量聚乙烯 隔離結構 電性能 電磁屏蔽性能 |
| 類 別： |
塑料 >> 塑料加工 |
| 來 源： |
第二屆高分子成型加工及其產業發展研討會(2015.5.16－18成都) |
| 資料類型： |
jpg文件 |
| 資料大小： |
415KB |
| 簡 介： |
石墨烯由于極大的比表面積、徑厚比和高電導率，廣泛用于導電高分子復合材料[1, 2]。本文通過溶液輔助分散法將氧化石墨烯(GO)包覆在超高分子量聚乙烯(UHMWPE)微粒表面，并通過水合肼還原、模壓成型制備了還原氧化石墨烯(RGO)/UHMWPE導電復合材料。光學顯微鏡形態結果表明RGO選擇性分布在UHMWPE微區界面處形成連續導電網絡，即在復合材料中形成隔離結構[3, 4]。熱壓成型過程中，由于UHMWPE的高熔體粘度，RGO很難滲入到UHMWPE微區內部，最終選擇性分布于微區界面。研究發現，隔離結構形成有利于提高RGO/UHMWPE復合材料的高電磁屏蔽性能。RGO含量僅為1.5 vol%時，復合材料平均磁屏蔽效能(EMI SE)可達26.7 dB，已滿足商業應用基本水平(20 dB)；RGO含量增加到6.4 vol%時，平均EMI SE可提高至47.3 dB。 |
| 上傳人： |
liuyh |
| 上傳時間： |
2015-06-26 15:11:21 |
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1 |
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